射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):20@30mA,10V,耗散功率(Pd):330mW,集射极击穿电压(Vceo):350V,集射极饱和电压(VCE(sat)):350mV,集电极截止电流(Icbo):50nA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 50MHz | |
直流电流增益(hFE) | 20@30mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 330mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 350V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 350mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.0817/个 |
50+ | ¥1.0578/个 |
150+ | ¥1.0418/个 |
500+ | ¥1.0259/个 |
510+ | ¥1.0259/个 |
520+ | ¥1.0259/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.94383
3000 PCS/盘
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