反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):4Ω@10V,250mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):223pC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):540mW,输入电容(Ciss):50pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V,250mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 223pC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 540mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.268/个 |
100+ | ¥0.214/个 |
300+ | ¥0.187/个 |
3000+ | ¥0.166/个 |
6000+ | ¥0.15/个 |
9000+ | ¥0.142/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15272
3000 PCS/盘
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