反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):0.12Ω@10V,2.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.8W,输入电容(Ciss):340pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):2.9A,阈值电压(Vgs(th)):4V@20uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.12Ω@10V,2.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@20uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.88/个 |
| 10+ | ¥3.16/个 |
| 30+ | ¥2.8/个 |
| 100+ | ¥2.44/个 |
| 500+ | ¥1.99/个 |
| 1000+ | ¥1.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.787
1000 PCS/盘
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