反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):900mΩ@2.5V,0.46A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.3W,输入电容(Ciss):115pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):0.63A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V@3.5uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@2.5V,0.46A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.63A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@3.5uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.96/个 |
| 50+ | ¥0.758/个 |
| 150+ | ¥0.672/个 |
| 500+ | ¥0.564/个 |
| 3000+ | ¥0.516/个 |
| 6000+ | ¥0.487/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.516
3000 PCS/盘