反向传输电容(Crss):4.2pF,导通电阻(RDS(on)):14Ω@10V,0.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.1nC@10V,漏源电压(Vdss):240V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):77pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):0.11A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@56uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14Ω@10V,0.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 240V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 77pF | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.11A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@56uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.522/个 |
| 50+ | ¥0.416/个 |
| 150+ | ¥0.363/个 |
| 500+ | ¥0.324/个 |
| 3000+ | ¥0.292/个 |
| 6000+ | ¥0.276/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.26864
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉70.08元