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BSS670S2L H6327
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- BSS670S2L H6327
- 商品编号
- C151529
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000017千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):825mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.26nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):75pF,连续漏极电流(Id):0.54A,阈值电压(Vgs(th)):2V@2.7uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 825mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.26nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.54A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@2.7uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.831/个 |
| 50+ | ¥0.59/个 |
| 150+ | ¥0.451/个 |
| 500+ | ¥0.403/个 |
| 3000+ | ¥0.364/个 |
| 6000+ | ¥0.345/个 |
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