反向传输电容(Crss):230pF,导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@10V,13A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):120nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):56W,输入电容(Ciss):1900pF,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):24A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 230pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@10V,13A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 56W | |
输入电容(Ciss) | 1900pF | |
输出电容(Coss) | 450pF | |
连续漏极电流(Id) | 24A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.75/个 |
10+ | ¥10.83/个 |
50+ | ¥9.63/个 |
100+ | ¥8.4/个 |
500+ | ¥7.84/个 |
1000+ | ¥7.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.8596
50 PCS/盘
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