射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):150@100mA,1V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):18V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@300mA,30mA,集电极截止电流(Icbo):1uA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 150@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 18V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@300mA,30mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 1uA | |
集电极电流(Ic) | 1A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.103/个 |
10+ | ¥1.081/个 |
30+ | ¥1.0664/个 |
100+ | ¥1.0518/个 |
102+ | ¥1.0518/个 |
104+ | ¥1.0518/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.96766
3000 PCS/盘
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