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MMBTA56-7-F
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- MMBTA56-7-F
- 商品编号
- C151827
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):4V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1.0V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.25V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.25V@100mA,10mA | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.244/个 |
| 100+ | ¥0.195/个 |
| 300+ | ¥0.171/个 |
| 3000+ | ¥0.153/个 |
| 6000+ | ¥0.138/个 |
| 9000+ | ¥0.131/个 |
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