反向传输电容(Crss):310pF,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,115A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):255nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):441W,输入电容(Ciss):9500pF,输出电容(Coss):660pF,连续漏极电流(Id):192A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,115A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 255nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 441W | |
| 输入电容(Ciss) | 9500pF | |
| 输出电容(Coss) | 660pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 192A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.32/个 |
| 10+ | ¥3.45/个 |
| 50+ | ¥3.02/个 |
| 100+ | ¥2.59/个 |
| 500+ | ¥2.34/个 |
| 1000+ | ¥2.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.7784
50 PCS/盘
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