反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):12Ω@4.5V,0.14A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):1.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):19pF,输出电容(Coss):8pF,连续漏极电流(Id):0.17A,阈值电压(Vgs(th)):2V@20uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 12Ω@4.5V,0.14A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 19pF | |
输出电容(Coss) | 8pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.17A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@20uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.37/个 |
100+ | ¥0.301/个 |
300+ | ¥0.266/个 |
3000+ | ¥0.196/个 |
6000+ | ¥0.175/个 |
9000+ | ¥0.165/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.18032
3000 PCS/盘
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