上升时间(tr):20ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:70ns,传播延迟 tpLH:75ns,功能特性:过流保护,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:14.5V~15.5V,拉电流(IOH):35A,灌电流(IOL):35A,特性:欠压保护(UVP),特性:短路保护(SCP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):32mA,驱动通道数:2,驱动配置:低边,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 70ns | |
| 传播延迟 tpLH | 75ns | |
| 功能特性 | 过流保护 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 14.5V~15.5V | |
| 拉电流(IOH) | 35A | |
| 灌电流(IOL) | 35A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 短路保护(SCP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 32mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 驱动配置 | - |