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NTR5103NT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTR5103NT1G
- 商品编号
- C152469
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.9pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电压(Vgs):±30V,栅极电荷量(Qg):0.81nC,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):420mW,输入电容(Ciss):26.7pF,输出电容(Coss):4.6pF,连续漏极电流(Id):310mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.81nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 420mW | |
| 输入电容(Ciss) | 26.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 4.6pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 310mA | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 3000+ | ¥0.161/个 |
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