射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):110MHz,直流电流增益(hFE):150@10mA,2.0V,耗散功率(Pd):710mW,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):150mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):2A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 110MHz | |
直流电流增益(hFE) | 150@10mA,2.0V | |
耗散功率(Pd) | 710mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 2A |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥1.999/个 |
50+ | ¥1.554/个 |
150+ | ¥1.364/个 |
500+ | ¥1.126/个 |
3000+ | ¥1.0172/个 |
6000+ | ¥0.954/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.936
3000 PCS/盘
嘉立创补贴7.98%
一盘能省掉243.6元