反向传输电容(Crss):1.5pF,导通电阻(RDS(on)):500Ω@10V,0.016A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):28pF,输出电容(Coss):3pF,连续漏极电流(Id):0.021A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V@8uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 500Ω@10V,0.016A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.5W | |
输入电容(Ciss) | 28pF | |
输出电容(Coss) | 3pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.021A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@8uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.689/个 |
50+ | ¥0.554/个 |
150+ | ¥0.487/个 |
500+ | ¥0.437/个 |
3000+ | ¥0.32/个 |
6000+ | ¥0.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.316
3000 PCS/盘
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