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IPD135N03LG
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD135N03LG
- 商品编号
- C152614
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000481千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):16pF,导通电阻(RDS(on)):13.5mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):31W,输入电容(Ciss):1000pF,输出电容(Coss):470pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 输入电容(Ciss) | 1000pF | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.29/个 |
| 10+ | ¥2.56/个 |
| 30+ | ¥2.25/个 |
| 100+ | ¥1.86/个 |
| 500+ | ¥1.69/个 |
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