反向传输电容(Crss):650pF,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):3770pF,输出电容(Coss):915pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 650pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@2.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 63W | |
输入电容(Ciss) | 3770pF | |
输出电容(Coss) | 915pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@50uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.09/个 |
10+ | ¥4/个 |
30+ | ¥3.94/个 |
100+ | ¥3.87/个 |
102+ | ¥3.87/个 |
104+ | ¥3.87/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5604
2000 PCS/盘
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