反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@4.5V,25A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):65W,输入电容(Ciss):1077pF,输出电容(Coss):360pF,连续漏极电流(Id):62A,阈值电压(Vgs(th)):2.35V@25uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 110pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@4.5V,25A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 65W | |
输入电容(Ciss) | 1077pF | |
输出电容(Coss) | 360pF | |
连续漏极电流(Id) | 62A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@25uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.63/个 |
10+ | ¥6.5/个 |
30+ | ¥5.88/个 |
100+ | ¥4.36/个 |
500+ | ¥4.05/个 |
1000+ | ¥3.91/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.4096
50 PCS/盘
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