FET类型:N沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):30Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):4V,漏源电流(Idss):50mA,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):14pF,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | N沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 漏源电流(Idss) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 14pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.809/个 |
| 50+ | ¥0.651/个 |
| 150+ | ¥0.572/个 |
| 500+ | ¥0.513/个 |
| 3000+ | ¥0.452/个 |
| 6000+ | ¥0.428/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.41584
3000 PCS/盘
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