反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,2.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):12.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):640pF,连续漏极电流(Id):3.2A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 95pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 12.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 640pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.481/个 |
50+ | ¥0.384/个 |
150+ | ¥0.335/个 |
500+ | ¥0.299/个 |
3000+ | ¥0.231/个 |
6000+ | ¥0.217/个 |
9000+ | ¥0.214/个 |
21000+ | ¥0.212/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.214
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