反向传输电容(Crss):40pF,导通电阻(RDS(on)):170mΩ@4.5V,2.8A,工作温度:-,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):15.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):645pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):3.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 40pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V,2.8A | |
工作温度 | - | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 15.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 645pF | |
输出电容(Coss) | 65pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.0174/个 |
10+ | ¥1.564/个 |
30+ | ¥1.369/个 |
100+ | ¥1.127/个 |
500+ | ¥1.0189/个 |
1000+ | ¥0.954/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.954
2500 PCS/盘