反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@10V,7.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,7.5A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 38W | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 15A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.331/个 |
50+ | ¥1.85/个 |
150+ | ¥1.644/个 |
500+ | ¥1.387/个 |
2500+ | ¥1.175/个 |
5000+ | ¥1.106/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.081
2500 PCS/盘
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