反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@4.5V,1.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):6.6nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):282pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V,1.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.96W | |
| 输入电容(Ciss) | 282pF | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.824/个 |
| 50+ | ¥1.414/个 |
| 150+ | ¥1.238/个 |
| 500+ | ¥1.0189/个 |
| 3000+ | ¥0.921/个 |
| 6000+ | ¥0.863/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.863
3000 PCS/盘
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