反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):0.08Ω@4.5V,2.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):10.1W,输入电容(Ciss):1580pF,输出电容(Coss):160pF,连续漏极电流(Id):10.4A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 140pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.08Ω@4.5V,2.9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 10.1W | |
输入电容(Ciss) | 1580pF | |
输出电容(Coss) | 160pF | |
连续漏极电流(Id) | 10.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.3/个 |
10+ | ¥2.95/个 |
30+ | ¥2.78/个 |
100+ | ¥2.61/个 |
500+ | ¥2.51/个 |
1000+ | ¥2.45/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.254
2500 PCS/盘
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