反向传输电容(Crss):81pF,导通电阻(RDS(on)):37mΩ@1.8V,4.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:-,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):867pF,输出电容(Coss):85pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@1.8V,4.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 867pF | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.315/个 |
| 50+ | ¥1.0435/个 |
| 150+ | ¥0.927/个 |
| 500+ | ¥0.783/个 |
| 2500+ | ¥0.718/个 |
| 5000+ | ¥0.679/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.66056
2500 PCS/盘
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