反向传输电容(Crss):41pF,导通电阻(RDS(on)):70mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.1W,输入电容(Ciss):563pF,输出电容(Coss):48pF,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 563pF | |
| 输出电容(Coss) | 48pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.0585/个 |
| 50+ | ¥0.839/个 |
| 150+ | ¥0.745/个 |
| 500+ | ¥0.628/个 |
| 2500+ | ¥0.576/个 |
| 5000+ | ¥0.545/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.52992
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉115.2元