反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.7nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):23.5W,输入电容(Ciss):405pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):7.1A,连续漏极电流(Id):7.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 23.5W | |
输入电容(Ciss) | 405pF | |
输出电容(Coss) | 40pF | |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.31/个 |
10+ | ¥3.55/个 |
30+ | ¥3.17/个 |
100+ | ¥2.79/个 |
500+ | ¥2.56/个 |
1000+ | ¥2.44/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.2448
2500 PCS/盘
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