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ZXMC10A816N8TC
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- ZXMC10A816N8TC
- 商品编号
- C155241
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000388千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):18pF,反向传输电容(Crss):46pF,导通电阻(RDS(on)):0.23Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.235Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.2nC@10V,栅极电荷量(Qg):16.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.4W,耗散功率(Pd):2.6W,输入电容(Ciss):497pF,输入电容(Ciss):717pF,输出电容(Coss):29pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):2.1A,连续漏极电流(Id):2.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.23Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.235Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 497pF | |
| 输入电容(Ciss) | 717pF | |
| 输出电容(Coss) | 29pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.47/个 |
| 10+ | ¥5.37/个 |
| 30+ | ¥4.77/个 |
| 100+ | ¥4.08/个 |
| 500+ | ¥3.78/个 |
| 1000+ | ¥3.64/个 |
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