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DMN6075S-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN6075S-7
- 商品编号
- C155242
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):24.6pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,2.8A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.3nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.7W,输入电容(Ciss):606pF,输出电容(Coss):32.6pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,2.8A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 输出电容(Coss) | 32.6pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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|---|---|
| 1+ | ¥0.496/个 |
| 50+ | ¥0.39/个 |
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| 500+ | ¥0.297/个 |
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| 6000+ | ¥0.236/个 |
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