反向传输电容(Crss):81pF,导通电阻(RDS(on)):64mΩ@4.5V,5.0A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):424pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 81pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 64mΩ@4.5V,5.0A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 424pF | |
输出电容(Coss) | 115pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.752/个 |
50+ | ¥0.613/个 |
150+ | ¥0.544/个 |
500+ | ¥0.492/个 |
3000+ | ¥0.393/个 |
6000+ | ¥0.372/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.36156
3000 PCS/盘
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