反向传输电容(Crss):42pF,反向传输电容(Crss):38.7pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20.8nC@10V,栅极电荷量(Qg):19.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):1130pF,输入电容(Ciss):1030pF,输出电容(Coss):69pF,输出电容(Coss):49.1pF,连续漏极电流(Id):6.5A,连续漏极电流(Id):3.1A,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1030pF | |
| 输出电容(Coss) | 69pF | |
| 输出电容(Coss) | 49.1pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.895/个 |
| 30+ | ¥1.553/个 |
| 90+ | ¥1.406/个 |
| 300+ | ¥1.223/个 |
| 1500+ | ¥1.141/个 |
| 3000+ | ¥1.0923/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.04972
2500 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉228.2元