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DMC6040SSD-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMC6040SSD-13
- 商品编号
- C155365
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000388千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):42pF,反向传输电容(Crss):38.7pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20.8nC@10V,栅极电荷量(Qg):19.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):1130pF,输入电容(Ciss):1030pF,输出电容(Coss):69pF,输出电容(Coss):49.1pF,连续漏极电流(Id):6.5A,连续漏极电流(Id):3.1A,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1030pF | |
| 输出电容(Coss) | 69pF | |
| 输出电容(Coss) | 49.1pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.649/个 |
| 30+ | ¥1.351/个 |
| 90+ | ¥1.223/个 |
| 300+ | ¥1.0637/个 |
| 1500+ | ¥0.993/个 |
| 3000+ | ¥0.95/个 |
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