反向传输电容(Crss):42pF,反向传输电容(Crss):38.7pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20.8nC@10V,栅极电荷量(Qg):19.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):1130pF,输入电容(Ciss):1030pF,输出电容(Coss):69pF,输出电容(Coss):49.1pF,连续漏极电流(Id):6.5A,连续漏极电流(Id):3.1A,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 42pF | |
反向传输电容(Crss) | 38.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 19.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
输入电容(Ciss) | 1130pF | |
输入电容(Ciss) | 1030pF | |
输出电容(Coss) | 69pF | |
输出电容(Coss) | 49.1pF | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.264/个 |
30+ | ¥1.00358/个 |
90+ | ¥0.828/个 |
300+ | ¥0.777/个 |
1500+ | ¥0.754/个 |
3000+ | ¥0.74/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.754
2500 PCS/盘