射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-,数量:-,晶体管类型:-,特征频率(fT):30MHz,直流电流增益(hFE):70@1A,5V,耗散功率(Pd):20W,配置:-,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):2V@4A,0.4A,集电极截止电流(Icbo):100uA,集电极电流(Ic):5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
晶体管类型 | - | |
特征频率(fT) | 30MHz | |
直流电流增益(hFE) | 70@1A,5V | |
耗散功率(Pd) | 20W | |
配置 | - | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@4A,0.4A | |
集电极截止电流(Icbo) | 100uA | |
集电极电流(Ic) | 5A |