反向传输电容(Crss):1.2pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.33Ω@10V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@520V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):770pF@100V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1.2pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.33Ω@10V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 20nC@520V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
输入电容(Ciss) | 770pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥8.02/个 |
10+ | ¥6.68/个 |
50+ | ¥5.95/个 |
100+ | ¥5.11/个 |
500+ | ¥4.74/个 |
1200+ | ¥4.57/个 |
1800+ | ¥4.52/个 |
4200+ | ¥4.48/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.474
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉23.8元