导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,40A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):55nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):158W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,40A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 158W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.46/个 |
10+ | ¥10.23/个 |
50+ | ¥10.08/个 |
100+ | ¥9.93/个 |
102+ | ¥9.93/个 |
104+ | ¥9.93/个 |
整盘
单价
整盘单价¥9.2736
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