反向传输电容(Crss):0.5pF,导通电阻(RDS(on)):5Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):950V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):105pF,输出电容(Coss):9pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):5V@100uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 输入电容(Ciss) | 105pF | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.6/个 |
| 10+ | ¥2.3/个 |
| 50+ | ¥2.15/个 |
| 100+ | ¥2/个 |
| 500+ | ¥1.91/个 |
| 1000+ | ¥1.86/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.978
50 PCS/盘
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