反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):6.5Ω@10V,1.05A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):485pF,输出电容(Coss):50pF,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 10pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.5Ω@10V,1.05A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 900V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 70W | |
输入电容(Ciss) | 485pF | |
输出电容(Coss) | 50pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥11.54/个 |
10+ | ¥9.82/个 |
30+ | ¥8.74/个 |
100+ | ¥7.64/个 |
500+ | ¥7.14/个 |
1000+ | ¥6.92/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.0408
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉34.96元