反向传输电容(Crss):48pF,导通电阻(RDS(on)):115mΩ@2.5V,3.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):305pF,输出电容(Coss):74pF,连续漏极电流(Id):3.8A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 48pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 115mΩ@2.5V,3.1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 305pF | |
输出电容(Coss) | 74pF | |
连续漏极电流(Id) | 3.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.697/个 |
50+ | ¥0.557/个 |
150+ | ¥0.487/个 |
500+ | ¥0.435/个 |
3000+ | ¥0.375/个 |
6000+ | ¥0.354/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.345
3000 PCS/盘
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