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DMN13H750S-7
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DMN13H750S-7
- 商品编号
- C156273
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000028千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):0.85Ω@6V,2.0A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.6nC@10V,漏源电压(Vdss):130V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.26W,输入电容(Ciss):231pF,输出电容(Coss):19pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85Ω@6V,2.0A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 130V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.26W | |
| 输入电容(Ciss) | 231pF | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.277/个 |
| 50+ | ¥1.001/个 |
| 150+ | ¥0.883/个 |
| 500+ | ¥0.735/个 |
| 3000+ | ¥0.669/个 |
| 6000+ | ¥0.63/个 |
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