反向传输电容(Crss):28pF,导通电阻(RDS(on)):203mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):241mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,耗散功率(Pd):13.7W,输入电容(Ciss):1239pF,输出电容(Coss):42pF,连续漏极电流(Id):2.3A,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 203mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 241mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 耗散功率(Pd) | 13.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1239pF | |
| 输出电容(Coss) | 42pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0463/个 |
| 50+ | ¥1.595/个 |
| 150+ | ¥1.401/个 |
| 500+ | ¥1.16/个 |
| 2500+ | ¥1.0501/个 |
| 5000+ | ¥0.986/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.96609
2500 PCS/盘
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