反向传输电容(Crss):19.1pF,导通电阻(RDS(on)):300mΩ@4.5V,1.5A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.7nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):14W,耗散功率(Pd):14W,输入电容(Ciss):551pF,输出电容(Coss):25.7pF,连续漏极电流(Id):6.1A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V,1.5A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 耗散功率(Pd) | 14W | |
| 输入电容(Ciss) | 551pF | |
| 输出电容(Coss) | 25.7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.52/个 |
| 10+ | ¥2.8/个 |
| 30+ | ¥2.49/个 |
| 100+ | ¥2.1/个 |
| 500+ | ¥1.93/个 |
| 1000+ | ¥1.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6744
2500 PCS/盘
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