反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):330mW,输入电容(Ciss):60pF,输出电容(Coss):25pF,连续漏极电流(Id):150mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 330mW | |
输入电容(Ciss) | 60pF | |
输出电容(Coss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 150mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.537/个 |
50+ | ¥2.0394/个 |
150+ | ¥1.826/个 |
500+ | ¥1.56/个 |
3000+ | ¥1.441/个 |
6000+ | ¥1.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.32572
3000 PCS/盘
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