射基极击穿电压(Vebo):7V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):180MHz,直流电流增益(hFE):-,耗散功率(Pd):1.25W,集射极击穿电压(Vceo):100V,集射极饱和电压(VCE(sat)):-,集电极截止电流(Icbo):0.5uA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个PNP | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 180MHz | |
直流电流增益(hFE) | - | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA | |
集电极电流(Ic) | 1A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.33/个 |
10+ | ¥2.67/个 |
30+ | ¥2.39/个 |
100+ | ¥2.04/个 |
500+ | ¥1.88/个 |
1000+ | ¥1.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6468
3000 PCS/盘
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