反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):32pF,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):380mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@0.1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 32pF | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 380mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.1A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.429/个 |
100+ | ¥0.346/个 |
300+ | ¥0.305/个 |
1000+ | ¥0.274/个 |
5000+ | ¥0.195/个 |
10000+ | ¥0.183/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.183
10000 PCS/盘