射基极击穿电压(Vebo):3V,工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):10MHz,直流电流增益(hFE):30@50mA,10V,耗散功率(Pd):15W,集射极击穿电压(Vceo):300V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1V@100mA,10mA,集电极截止电流(Icbo):-,集电极电流(Ic):0.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个NPN | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 10MHz | |
直流电流增益(hFE) | 30@50mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 15W | |
集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@100mA,10mA | |
集电极截止电流(Icbo) | - | |
集电极电流(Ic) | 0.5A |