反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):15pF,输出电容(Coss):4.5pF,连续漏极电流(Id):250mA,阈值电压(Vgs(th)):2.3V@1mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
输入电容(Ciss) | 15pF | |
输出电容(Coss) | 4.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 250mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@1mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.145/个 |
200+ | ¥0.113/个 |
600+ | ¥0.096/个 |
3000+ | ¥0.076/个 |
9000+ | ¥0.067/个 |
21000+ | ¥0.0621/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06992
3000 PCS/盘
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