反向传输电容(Crss):400pF,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@5V,24A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100W,输入电容(Ciss):2000pF,输出电容(Coss):800pF,连续漏极电流(Id):48A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 400pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@5V,24A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 60nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 100W | |
输入电容(Ciss) | 2000pF | |
输出电容(Coss) | 800pF | |
连续漏极电流(Id) | 48A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥25.26/个 |
10+ | ¥21.41/个 |
50+ | ¥14.87/个 |
100+ | ¥12.55/个 |
500+ | ¥11.49/个 |
800+ | ¥11/个 |
整盘
单价
整盘单价¥14.87
50 PCS/盘