反向传输电容(Crss):11pF,导通电阻(RDS(on)):4.5Ω@10V,1.25A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):485pF,输出电容(Coss):57pF,连续漏极电流(Id):2.5A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@50uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,1.25A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
输入电容(Ciss) | 485pF | |
输出电容(Coss) | 57pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥7.11/个 |
10+ | ¥5.97/个 |
30+ | ¥5.35/个 |
100+ | ¥4.64/个 |
500+ | ¥4.33/个 |
1000+ | ¥4.18/个 |
2000+ | ¥4.14/个 |
4000+ | ¥4.11/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.922
50 PCS/盘
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