反向传输电容(Crss):6.2pF,导通电阻(RDS(on)):1.05Ω@10V,5A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):1563pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6.2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.05Ω@10V,5A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | 1563pF | |
输出电容(Coss) | 120pF | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.64/个 |
10+ | ¥2.91/个 |
50+ | ¥2.54/个 |
100+ | ¥2.18/个 |
500+ | ¥1.96/个 |
1000+ | ¥1.85/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.3368
50 PCS/盘
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