反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V,0.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):10.7pF,输出电容(Coss):10.7pF,连续漏极电流(Id):0.8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@0.4A
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,0.4A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 25W | |
输入电容(Ciss) | 10.7pF | |
输出电容(Coss) | 10.7pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.4A |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.865/个 |
50+ | ¥0.603/个 |
150+ | ¥0.462/个 |
500+ | ¥0.389/个 |
2500+ | ¥0.356/个 |
5000+ | ¥0.337/个 |
10000+ | ¥0.333/个 |
20000+ | ¥0.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.356
2500 PCS/盘