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CS1N60A4H
扩展库- 品牌名称
- 华润华晶
- 厂家型号
- CS1N60A4H
- 商品编号
- C162383
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.00045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):15Ω@10V,0.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):10.7pF,输出电容(Coss):10.7pF,连续漏极电流(Id):0.8A,阈值电压(Vgs(th)):4V@0.4A
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@10V,0.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 10.7pF | |
| 输出电容(Coss) | 10.7pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.4A |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.667/个 |
| 50+ | ¥0.446/个 |
| 150+ | ¥0.322/个 |
| 500+ | ¥0.271/个 |
| 2500+ | ¥0.249/个 |
| 5000+ | ¥0.235/个 |
| 10000+ | ¥0.232/个 |
| 20000+ | ¥0.23/个 |
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