反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ@4.5V,4A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):600pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 70pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V,4A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 600pF | |
输出电容(Coss) | 90pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.355/个 |
100+ | ¥0.283/个 |
300+ | ¥0.247/个 |
3000+ | ¥0.22/个 |
6000+ | ¥0.199/个 |
9000+ | ¥0.188/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2024
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